收藏本站
Si6955ADQ
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 30
R DS(on) ( Ω )
0.080 at V GS = - 10 V
0.135 at V GS = - 4.5 V
I D (A)
± 2.9
± 2.2
? Halogen-free
? TrenchFET ? Power MOSFETs
RoHS
COMPLIANT
S 1
S 2
TSSOP-8
G 1
G 2
D 1
1
8
D 2
S 1
S 1
G 1
2
3
4
Si6955ADQ
7
6
5
S 2
S 2
G 2
Top View
Ordering Information: Si6955ADQ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
D 1
P-Channel MOSFET
D 2
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
Steady State
- 30
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current (10 μs Pulse Width)
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
± 2.9
± 2.3
± 20
± 2.5
± 2.0
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
- 1.0
- 0.70
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
1.14
0.73
- 55 to 150
0.83
0.53
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
88
124
69
110
150
83
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 71103
S-81221-Rev. B, 02-Jun-08
www.vishay.com
1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI6966DQ-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP
SI6966EDQ-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP
SI6967DQ-T1-GE3 MOSFET P-CH DUAL G-S 8V 8TSSOP
SI6969BDQ-T1-GE3 MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP
SI6973DQ-T1-GE3 MOSFET P-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP
SI6975DQ-T1-E3 MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP
SI6993DQ-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP
SI7100DN-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 8V PPAK 1212-8
相关代理商/技术参数
SI6955DQ 功能描述:MOSFET 30V/20V PCh MOSFET Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6955DQ-T1 功能描述:MOSFET 30V 2.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6955DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 2.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6956DQ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI6956DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 2.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6963 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6963BDQ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6963BDQ_06 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET